Samsung 990 EVO PLUS 1TB TLC SSD M.2 PCIe Gen5x2/Gen4x4

100,00  (sis. alv25.5%)

Nopea suorituskyky
Samsung 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0BW) tarjoaa nopeat luku- ja kirjoitusominaisuudet, jotka ovat välttämättömiä tehokäyttäjille ja pelaajille, sillä sen sisäinen tiedonsiirtonopeus on 7150 Mt/s ja kirjoitusnopeus jopa 6300 Mt/s.

Vankka kestävyys
Tämä SSD-levy on suunniteltu toimimaan vaativissa ympäristöissä, ja se kestää lämpötiloja -40 °C:sta 85 °C:een, mikä takaa luotettavuuden erilaisissa olosuhteissa.

Kehittynyt turvallisuus
Asemassa on 256-bittinen AES-laitteistosalaus, joka pitää tiedot turvassa TCG Opal Encryption 2.0:n avulla, jolloin käyttäjät voivat olla rauhassa arkaluonteisten tietojensa suhteen.

Tehokas virrankulutus
Tämä asema toimii alhaisella tehotasolla, mukaan lukien 5 mW lukutilassa ja 4,2 wattia lepotilassa, joten se on tehokas ja edistää yleistä energiansäästöä.

Parannetut teknologiaominaisuudet
Älykkäällä TurboWrite-tekniikalla ja Host Memory Buffer (HMB) -muistipuskurilla varustettu SSD-levy tarjoaa nopeampaa suorituskykyä ja parempaa tehokkuutta kaikissa sovelluksissa.

Lukunopeus (MBps) 7150 Kirjoitusnopeus (MBps) 6300 4K satunnaisluku (1000 IOPS) 850 4k satunnaiskirjoitus (1000 IOPS) 1350 Kirjoituskestävyys (TBW) 600

50+kpl heti, 50+kpl 2 työpäivää, 50+kpl 3 työpäivää

Tuotetunnus (SKU): MZ-V9S1T0BW Osasto:
MPN: MZ-V9S1T0BWEAN: 8806095575674

Lisätiedot

Takuu

60kk

Toimitusaika

1-2 päivää

Valmistaja

Samsung

Toimitusaika päivinä

1

Malli

990 EVO PLUS

Väylä

PCIe Gen4.0x4 / 5.0 x2 NVME 2.0

Lukunopeus (MBps)

7150

Kirjoitusnopeus (MBps)

6300

4K satunnaisluku (1000 IOPS)

850

4k satunnaiskirjoitus (1000 IOPS)

1350

Kirjoituskestävyys (TBW)

600

Kapasiteetti

1000

Takuu

5 vuotta

Tyyppi

M.2 2280

Tekniset tiedot

ValmistajaSamsung
Malli990 EVO PLUS
Kapasiteetti1000GB
TyyppiM.2 2280
NAND Flash-tyyppiV-NAND TLC
Koko (P x L x K)22 x 80 x 2,38 mm
Paino9g
VäyläPCIe Gen4.0x4 / 5.0 x2 NVME 2.0
Käyttölämpötila0 - 70 °C
Iskunkesto1500G/0,5ms
MTBF1.500.000 tuntia
Takuu5 vuotta
Suorituskyky
Lukunopeus CDM (max MBps)7150
Kirjoitusnopeus CDM (max MBps)6300
4K satunnaisluku CDM (K IOPS)850
4K satunnaiskirjoitus CDM (K IOPS)1350
TBW (TB)600
Siirtonopeus (MBps)